在斯達(dá)半導(dǎo)體半年度業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上，董事長(zhǎng)總經(jīng)理沈華表示，目前公司正在積極擴(kuò)產(chǎn)，以滿足在新能源汽車、新能源發(fā)電、儲(chǔ)能等行業(yè)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。

新一代IGBT芯片大批量應(yīng)用

      2022年上半年，斯達(dá)半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入11.54億元，同比增長(zhǎng)六成，歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)3.47億元，同比增長(zhǎng)1.25倍。公司在手訂單增長(zhǎng)速度，報(bào)告期內(nèi)合同負(fù)債項(xiàng)目同比上期增長(zhǎng)近四倍；公司也加大了研發(fā)投入，上半年研發(fā)費(fèi)用同比增長(zhǎng)超過(guò)七成。

      從業(yè)務(wù)板塊來(lái)看，斯達(dá)半導(dǎo)在新能源行業(yè)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)近兩倍至5.47億元，規(guī)模逼近工業(yè)控制和電源行業(yè)營(yíng)收規(guī)模，公司變頻白色家電及其他行業(yè)的營(yíng)業(yè)收入為4070.2萬(wàn)元，較上年同期增長(zhǎng)近兩成。

     沈華介紹，目前斯達(dá)半導(dǎo)基于第六代Trench Field Stop技術(shù)的全系列自主IGBT芯片已經(jīng)廣泛應(yīng)用于公司下游各行業(yè)，電壓等級(jí)覆蓋600V/650V/950V/1200V/1700V等，芯片自主比率接近100%。同時(shí)，公司基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的新一代IGBT芯片已經(jīng)在下游各行業(yè)開(kāi)始大批量應(yīng)用。

     今年上半年，斯達(dá)半導(dǎo)生產(chǎn)的應(yīng)用于主電機(jī)控制器的車規(guī)級(jí)IGBT模塊持續(xù)放量，合計(jì)配套超過(guò)50萬(wàn)輛新能源汽車，預(yù)計(jì)下半年配套數(shù)量將進(jìn)一步增加，其中A級(jí)及以上車型超過(guò)20萬(wàn)輛。同時(shí)公司在用于車用空調(diào)、充電樁、電子助力轉(zhuǎn)向等新能源汽車半導(dǎo)體器件份額進(jìn)一步提高。

進(jìn)一來(lái)看，公司基于第六代Trench Field Stop技術(shù)車規(guī)級(jí)IGBT模塊新增多個(gè)雙電控混動(dòng)以及純電動(dòng)車型的主電機(jī)控制器平臺(tái)定點(diǎn)，有望對(duì)2024年-2030年公司新能源汽車IGBT模塊銷售增長(zhǎng)提供持續(xù)推動(dòng)力；另外，基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的新一代車規(guī)級(jí)650V/750VIGBT芯片通過(guò)客戶驗(yàn)證，下半年開(kāi)始批量供貨。

SiC MOSFET模塊大批量裝車

      與IGBT方案比，SiC MOSFET 方案可以有效的提升新能源汽車持續(xù)續(xù)航能力、空間利用等關(guān)鍵性指標(biāo)，同時(shí)還可以減小電機(jī)控制器的體積，以特斯拉為代表的部分中高端車型已經(jīng)開(kāi)始使用SiC MOSFET方案。

      據(jù)披露，斯達(dá)半導(dǎo)應(yīng)用于乘用車主控制器的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊開(kāi)始大批量裝車，同時(shí)公司新增多個(gè)使用車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)的主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)，預(yù)計(jì)將對(duì)公司2024-2030年主控制器用車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊銷售增長(zhǎng)提供持續(xù)推動(dòng)力。

      在光伏儲(chǔ)能，斯達(dá)半導(dǎo)自主芯片的650V/1200V單管IGBT和模塊可提供從單管到模塊全部解決方案，已成為戶用和工商業(yè)并網(wǎng)逆變器和儲(chǔ)能變流器的主要供應(yīng)商，同時(shí)，公司應(yīng)用于光伏行業(yè)的1200VIGBT模塊在1500V系統(tǒng)地面電光伏電站和儲(chǔ)能系統(tǒng)中開(kāi)始批量應(yīng)用。